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分立器件和功率模塊

　　我們的產品陣容提供全系列高、中、低壓功率分立器件以及先進的功率模塊方案，包括 IGBT、MOSFET、SiC、Si/SiC 混合模塊、二極管、SiC 二極管和智能功率模塊 。SUPERFET是安森美半導體全新的高壓超結  MOSFET系列，采用電荷平衡技術，具有出色的低導通電阻和低柵極電荷性能。這種先進的技術經過量身定制，可最大限度地降低傳導損耗，提供卓越的開關性能，并承受極端的 dv/dt 速率。因此，SUPERFET III MOSFET非常適合各種功率系統，以實現小型化和更高的效率。SUPERFET III FRFET MOSFET優化的體二極管反向恢復性能可以去除額外的組件并提高系統可靠性。

　　on是安森美半導體全新的高壓超結，MOSFET系列，采用電荷平衡技術，具有出色的低導通電阻和低柵極電荷性能。這種先進的技術經過量身定制，可最大限度地降低傳導損耗，提供卓越的開關性能，并承受極端的 dv/dt 速率。因此，SUPERFET非常適合各種功率系統，以實現小型化和更高的效率。SUPERFET優化的體二極管反向恢復性能可以去除額外的組件并提高系統可靠性。

　　特性 優勢

　　超低柵極電荷（典型值 Qg= 252 nC）

　　更低的開關損耗

　　低時間相關輸出電容（典型值.Coss（tr.）= 3174 pF）

　　更低的開關損耗

　　優化電容

　　較低的峰值 Vd 和較低的 Vgs 振蕩

　　出色的體二極管性能（低 Q 值）rr，堅固的體二極管）

　　在有限責任公司和相移全橋電路中具有更高的系統可靠性

　　650 V @ TJ= 150 °C

　　類型。RDS（on）= 15.2 mΩ

　　100%雪崩測試

　　這些器件無鉛、無鹵素/無 BFR，并且符合 RoHS 標準

　　內部柵極電阻：3.5 Ω

合通泰作為深圳on一級代理商，承諾原裝正品，假一賠十。

因ic芯片的型號和封裝種類繁多，產品沒有一 一上傳，

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